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　　晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片，而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件结构，使之成为有特定电性功能的集成电路产品。

　　说到集成电路（integrated circuit，IC），或者实物，或者图片，大家都见过，如下图所示：

　　眼前这密密麻麻的元器件，被整整齐齐的安放在一块单晶硅材料之上，都是规规矩矩、方方正正的。可见，晶圆在㊣实际应用之中还是㊣要被切割成方形的。

　　1918年，前苏联科学家切克劳斯基（Czochralski）建立起来一种晶体生长方法——直拉式晶体生长方法，简称CZ法。

　　接下来是单晶硅生长工艺。就是从硅熔体中生✅长出单晶硅。高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，在保护性气氛中高温加热使其熔化。使用一颗小的㊣籽晶缓慢地从旋转着的熔体中缓慢上升，即可垂直拉制出大直径的单晶硅锭。

　　最后一步是晶圆成型。单晶硅锭一般呈圆柱型，直径从3英寸到十几英寸不等。硅锭经过切片、抛光之后，就得到了单晶硅圆片，也即晶圆。

　　区熔法，简称㊣Fz法。1939年，在贝尔实验室工作的W·G·Pfann 最先㊣萌生了“区域匀平”的念头，后来在亨利·休勒 、丹·多西等人✅的协助下，生长出了高纯度的锗以及硅单晶为什么硅㊣片是紫色的，并获得了专利。

　　这种方法是利用热能在半导体多晶棒料的一端产生一熔区，使其重结晶为单晶。使熔区沿一定方向缓㊣慢地向棒的另一端移动，进而通过整根棒料，使多晶棒料生长成一根单晶棒料，区熔法也需要籽晶，且最终得到的柱状单晶锭晶向与籽晶的相同。

　　区熔法分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长；后者主要用于硅。

　　为什么有横着和竖着长的不同捏？这是由于硅的熔点高，化学性能㊣活泼， 容易受到异物的㊣玷污，所以难以找到适合的器皿来盛方，自然水平区熔法不能用在硅的生长上啦。

　　区熔法与直拉法最大的不✅同之处在于：区熔法一般不使用坩锅，引入的杂质更少，生长的材料杂质含量也就更少。

　　总而言之，单晶硅棒是圆柱形的，使用这种方法得到的单晶硅圆片自然也是圆形的了超声波焊接要求。就是下图这个样的——

　　你知道是两头的尖尖是如何造成的吗？Bingo，图左的尖尖是籽晶，图右的尖尖是晶棒长到最后，从熔融态里出来后，由于复杂的流体力学原理，以及熔融态的硅迅速凝固而导致的。

　　2有人✅㊣计算过， 比较直径为L毫米的圆和边长为L毫米的正方形，考虑晶圆制造过程中边缘5到8毫米是不可利用的，算算就知道正方形浪费的使用面积比率是比圆型高的。所以，圆形是等周长时表面积做大的二维图形，加工时能够充分利用原料，在一片晶圆上能分出最多的芯片。

　　3在实际的加工制成当中，圆形的㊣物体比较便于生产操作。圆型具有任意轴对称性,这是晶圆制作工艺必然的要求，可以想象一下，在圆型晶圆表面可以通过旋转涂布法(spin coating，事实上是目前均匀涂布光刻胶的唯一方法)获得很均匀一致的光刻胶涂层，但其它形状的晶圆呢？ 不可能或非常难，可以的线作为圆柱的单晶硅晶锭更便于运输，有效的避免了在运输途中磕碰损坏，边角碎掉什么的造成材料损耗。

　　在硅棒做出来后，在200mm以下的硅棒上是切割一个平角，叫F✅lat。在200mm（含）以上㊣硅棒上，为了减少浪费，只裁剪个圆形小口，叫做Notch。最后再进行切片，得到的晶✅圆如下。

　　。这样每片晶圆的晶向就能确定，在加工的时候也不容易出错了。所以，为什么“晶圆”没有方的？？？答案很㊣✅✅简单，是一个历史遗留的问题，也是一个技术限制的问题。而且，真的没有必要做出✅来正方的硅片呢～